Σχεδίαση ενεργού CMOS μίκτη σε τεχνολογία 65nm

Διπλωματική Εργασία uoadl:1343402 143 Αναγνώσεις

Μονάδα:
Κατεύθυνση / ειδίκευση Επεξεργασία-Μάθηση Σήματος και Πληροφορίας (ΕΜΠ)
Πληροφορική
Ημερομηνία κατάθεσης:
2017-03-16
Έτος εκπόνησης:
2017
Συγγραφέας:
Κωστόγιαννης Κωνσταντίνος
Στοιχεία επιβλεπόντων καθηγητών:
Αγγελική Αραπογιάννη, Καθηγήτρια, Τμήμα Πληροφορικής και Τηλεπικοινωνιών, Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών
Πρωτότυπος Τίτλος:
Σχεδίαση ενεργού CMOS μίκτη σε τεχνολογία 65nm
Γλώσσες εργασίας:
Ελληνικά
Μεταφρασμένος τίτλος:
Σχεδίαση ενεργού CMOS μίκτη σε τεχνολογία 65nm
Περίληψη:
Αντικείμενο της παρούσας διπλωματικής εργασίας είναι η σχεδίαση ενός down conversion ενεργού (τύπου Gilbert Cell) CMOS μίκτη.
Στο θεωρητικό μέρος της εργασίας εξηγούμε τη βασική λειτουργία ενός μίκτη, παρουσιάζουμε τις διάφορες κατηγορίες μικτών, με τα πλεονεκτήματα και τα μειονεκτήματά τους, και τέλος, περιγράφουμε τις παραμέτρους με βάση τις οποίες αξιολογούνται οι επιδόσεις κάθε μίκτη.
Στο πρακτικό μέρος της εργασίας, ξεκινούμε από ένα βασικό κύκλωμα, εφαρμόζουμε τροποποιήσεις στο βασικό κύκλωμα με στόχο την βελτιστοποίησή του και τέλος, προσομοιώνουμε τη λειτουργία του με τη βοήθεια του σχεδιαστικού πακέτου ADS της Agilent Technologies.
Η συχνότητα του RF σήματος εισόδου ήταν 2.5 GHz, η συχνότητα του LO σήματος του τοπικού ταλαντωτή ήταν 2.4 GHz και η συχνότητα του IF σήματος εξόδου 0.1 GHz. Ο μίκτης που σχεδιάστηκε είχε κέρδος μετατροπής (Conversion Gain) 5.85 dB, εικόνα θορύβου μονής πλευρικής ζώνης (Single Sideband Noise Figure) 7.02 dB, ισχύς εισόδου στο σημείο συμπίεσης 1dB -12dbm και ισχύς εισόδου στο σημείο τομής τρίτης τάξης (Input Intercept Point 3) -1dbm.
Κύρια θεματική κατηγορία:
Τεχνολογία – Πληροφορική
Λέξεις-κλειδιά:
ενεργός μίκτης, Gilbert Cell, τεχνολογία 65nm, ADS, RF VLSI
Ευρετήριο:
Ναι
Αρ. σελίδων ευρετηρίου:
6
Εικονογραφημένη:
Ναι
Αρ. βιβλιογραφικών αναφορών:
16
Αριθμός σελίδων:
85
ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ.pdf (5 MB) Άνοιγμα σε νέο παράθυρο