The electron affinity of gallium nitride (GaN) and digallium nitride (GaNGa): The importance of the basis set superposition error in strongly bound systems

Επιστημονική δημοσίευση - Άρθρο Περιοδικού uoadl:2955589 135 Αναγνώσεις

Περιγραφή
Περιεχόμενα

Μονάδα:

Τμήμα Χημείας

Τίτλος:

The electron affinity of gallium nitride (GaN) and digallium nitride (GaNGa): The importance of the basis set superposition error in strongly bound systems

Γλώσσες Τεκμηρίου:

Αγγλικά

Περίληψη:

Δεν υπάρχει περίληψη

Έτος δημοσίευσης:

2008

Συγγραφείς:

Demeter Tzeli
Athanassios A. Tsekouras

Περιοδικό:

The Journal of Chemical Physics

Εκδότης:

AIP Publishing

Τόμος:

128

Αριθμός / τεύχος:

Σελίδες:

144103

Κύρια θεματική κατηγορία:

Θετικές Επιστήμες

Επίσημο URL (Εκδότης):

https://doi.org/10.1063/1.2883997

DOI:

10.1063/1.2883997

Μόνιμη διεύθυνση:

https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/2955589

The electron affinity of gallium nitride (GaN) and digallium nitride (GaNGa): The importance of the basis set superposition error in strongly bound systems

Το ψηφιακό υλικό του τεκμηρίου δεν είναι διαθέσιμο.