TEMPERATURE-DEPENDENT LOW-Q SCATTERING FROM SILICON SINGLE-CRYSTALS

Επιστημονική δημοσίευση - Άρθρο Περιοδικού uoadl:3045077 13 Αναγνώσεις

Μονάδα:
Ερευνητικό υλικό ΕΚΠΑ
Τίτλος:
TEMPERATURE-DEPENDENT LOW-Q SCATTERING FROM SILICON SINGLE-CRYSTALS
Γλώσσες Τεκμηρίου:
Αγγλικά
Περίληψη:
It has been reported that the low-Q temperature-dependent scattering
from silicon single crystals is due to the modification of the phonon
curves arising from the presence of oxygen precipitates. Experimental
evidence reported here shows that this assumption was incorrect.
Furthermore, it is found that this scattering increases linearly with
temperature in the temperature range from 300 K to 900 K.
Έτος δημοσίευσης:
1992
Συγγραφείς:
GUPTA, S
MESSOLORAS, S
STEWART, RJ
SCHNEIDER, JR
Περιοδικό:
JOURNAL OF PHYSICS : CONDENSED MATTER
Εκδότης:
IOP Publishing Ltd
Τόμος:
4
Αριθμός / τεύχος:
24
Σελίδες:
5383-5390
Επίσημο URL (Εκδότης):
DOI:
10.1088/0953-8984/4/24/007
Το ψηφιακό υλικό του τεκμηρίου δεν είναι διαθέσιμο.