Σχεδίαση ενισχυτών υψηλής ισχύος άνω της X band με χρήση πρωτότυπων ασταθών και αμφίδρομων τρανζίστορ GaN

Διπλωματική Εργασία uoadl:2899351 285 Αναγνώσεις

Μονάδα:
Κατεύθυνση Σχεδίασης Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων
Πληροφορική
Ημερομηνία κατάθεσης:
2020-03-17
Έτος εκπόνησης:
2020
Συγγραφέας:
Γεωργίου Πολυξένη
Στοιχεία επιβλεπόντων καθηγητών:
Ευαγγέλια Καράγιαννη, Δρ. Ηλεκτρολόγος Μηχανικός ΕΜΠ, Αναπληρώτρια Καθηγήτρια ΣΝΔ
Πρωτότυπος Τίτλος:
Σχεδίαση ενισχυτών υψηλής ισχύος άνω της X band με χρήση πρωτότυπων ασταθών και αμφίδρομων τρανζίστορ GaN
Γλώσσες εργασίας:
Αγγλικά
Ελληνικά
Μεταφρασμένος τίτλος:
Σχεδίαση ενισχυτών υψηλής ισχύος άνω της X band με χρήση πρωτότυπων ασταθών και αμφίδρομων τρανζίστορ GaN
Περίληψη:
Στα πλαίσια αυτής της διπλωματικής εργασίας, περιγράφεται η σχεδίαση ενισχυτών ισχύος (HPA) για εξαιρετικά υψηλές συχνότητες (X- band, V-band). Η προσομοίωση της λειτουργίας των κυκλωμάτων πραγματοποιήθηκε με το πρόγραμμα ADS της εταιρείας Keysight. Οι ενισχυτές υψηλής ισχύος αποτελούν βασικό δομικό μέρος των πομπών, καθώς είναι υπεύθυνη για την ενίσχυση του εκπεμπόμενου σήματος. Η πληθώρα ηλεκτρονικών εφαρμογών (WiMax, 5G) που κατακλύζει τη σημερινή εποχή, επιτάσσει την χρήση ολοένα και υψηλότερων συχνοτήτων εκπομπής, αφού οι χαμηλές μπάντες είναι πλέον κατειλλημένες. Η ανάγκη επομένως, σχεδίασης και υλοποίησης καινοτόμων HPA με ικανοποιητική απόδοση είναι επακόλουθη της ανάπτυξης τρανζίστορ νέας γενιάς, που υλοποιούναι με βάση την τεχνολογία GaN. Αρχικά, στα επόμενα κεφάλαια γίνεται αναφορά στις διαφορές της τεχνολογίας GaN, με την προγενέστερη τεχνολογία GaAs καθώς και στον τρόπο λειτουργίας των τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας (ΗΕΜΤ). Επιπλέον, παρατίθεται η σύγκριση των μοντέλων ασθενούς και ισχυρού σήματος, έτσι ώστε να χρησιμοποιηθούν σωστά οι παράμετροι σκέδασης των τρανζίστορ. Στη συνέχεια, παρουσιάζεται ο ενισχυτής ως δίθυρο και αναλύονται οι παράγοντες που επηρρεάζουν την αξιοπιστία του και τη χρήση του στις εκάστοτε εφαρμογές. Οι παράγοντες αυτοί είναι η μονοδρομικότητα, η ευστάθεια και η απόδοση του ενισχυτή. Το κύριο κομμάτι της εργασίας παρατίθεται στο τέταρτο κεφάλαιο, όπου αναλύεται η σχεδίαση ενισχυτών στη συχνότητα των 58,5 GHz με χρήση τρανζίστορ εμπορικού τύπου και η σχεδίαση ενισχυτών στη συχνότητα των 10GHz με χρήση πρωτότυπων τρανζίστορ ελληνικής κατασκευής. Τέλος, σχεδιάζονται και προσωμοιώνονται διατάξεις με διαφορετικές τοπολογίες αντιστάσεων για τη βελτίωση της ευστάθειας, και διατάξεις αμφίδρομων διθύρων που ικανοποιούν τις απαιτήσεις υψηλής απόδοσης των εφαρμογών. Απώτερος στόχος της διπλωματικής είναι ο εντοπισμός των τιμών των παθητικών στοιχείων που απαιτούνται για τη βέλτιστη σχεδίαση, προκειμένου να ξεκινήσει η τρισδιάστατη σχεδίασή τους
Λέξεις-κλειδιά:
Ραντάρ, Πομπός, Ενισχυτής Ισχύος, Απόδοση Ενισχυτή, Κυκλώματα Προσαρμογής, Κυκλώματα Πόλωσης, Ευστάθεια, Μονοδρομικότητα, Ανάδραση
Ευρετήριο:
Όχι
Αρ. σελίδων ευρετηρίου:
0
Εικονογραφημένη:
Ναι
Αρ. βιβλιογραφικών αναφορών:
21
Αριθμός σελίδων:
118
Αρχείο:
Δεν επιτρέπεται η πρόσβαση στο αρχείο. H πρόσβαση επιτρέπεται μόνο εντός του δικτύου του ΕΚΠΑ.

Σχεδίαση ενισχυτών υψηλής ισχύος άνω της X band με χρήση πρωτότυπων ασταθών και αμφίδρομων τρανζίστορ GaN.pdf
6 MB
Δεν επιτρέπεται η πρόσβαση στο αρχείο. H πρόσβαση επιτρέπεται μόνο εντός του δικτύου του ΕΚΠΑ.